北京有色金属研究总院院长——屠海令
出生：1946年10月
系所：材料科学与工程
职称：教授
电话：010-82241880
E-mail：tuhl@grinm.com
主要研究方向：1. 硅及化合物半导体材料
2. 纳米半导体材料
3. 半导体材料表面及界面物理化学
简介
1969年毕业于天津大学；1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位；1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。2007年当选为中国工程院院士。现任北京有色金属研究总院院长。中国材料研究学会副理事长，中国有色金属学会副理事长，中国稀土学会副理事长，中国半导体行业协会副理事长，中国电子材料行业协会副理事长，SEMI中国标准化材料委员会主任。
长期从事硅、化合物半导体、稀土半导体晶体生长，硅基半导体材料制备；半导体材料中杂质与缺陷行为，界面、表面物理化学；半导体材料与器件性能关系等方面研究。领导并参加6英寸、8英寸和12英寸硅抛光片工程及专项项目，形成了一系列具有自主知识产权的工程技术。研究课题包括半导体单晶生长中的传质、传热过程，硅外延生长动力学，半导体材料表面物理化学，砷化镓晶体生长新技术，三元系化合物半导体晶格动力学，稀土半导体材料结构相变，硅基半导体材料的制备技术，半导体材料中缺陷与杂质互作用及缺陷工程，半导体材料检测技术，纳米半导体材料制备及性能评价，高ｋ栅介质材料缺陷及界面稳定性等。
在国内外学术刊物上发表论文190余篇，编译出版著作8部，获国家科技进步二等奖2项，省部级一、二等奖8项，授权发明专利16项。1985年获有贡献归国留学人员奖，1992年获政府津贴，1996年被评为国家中青年有突出贡献专家，2001年获全国五一劳动奖章，2002年获国际半导体材料与设备协会国际标准成就奖，2004年获何梁何利奖，2006年分别获北京电子信息产业十大杰出贡献者奖和中国有色金属工业科技进步特别贡献奖。